高压LDMOSFET降低体内场技术的研究

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主题:高压LDMOSFET降低体内场技术的研究

人:胡夏融

时间:202061910:00-11:00

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内容:

功率半导体是电子装置电能转换与电路控制的核心,被广泛应用于汽车、通信、消费电子和工业领域。MOSFET在功率半导体器件中占比最高,具有广阔的市场前景。本报告主要介绍高压LDMOSFET降低体内场技术。高压LDMOSFET主要利用半导体的单向导电性实现电源开关的功能,其关键问题在于如何满足高击穿电压下的低功耗需求,从而改善器件及功率集成电路的整体性能。降低体内场技术是通过在器件的衬底引入埋层,使耗尽层在纵向进一步展宽,器件的体内电场尖峰也进一步降低从而避免了提前击穿。降低体内场技术提高了器件的耐压,从而改善了击穿电压和比导通电阻的矛盾关系。

主讲人简介:

胡夏融,男,博士,20137-至今在js4399金沙从事微电子学与固体电子学方向的教学和科研工作。研究方向主要包括功率半导体器件的设计和建模,智能功率集成电路设计。以第一作者身份现已发表论文10篇,其中SCI论文6篇。承担微电子、信息、通信等专业的本科生课程10门。负责四川省教育厅项目等纵向项目3项。

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